Пошуковий запит: (<.>TJ=Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Demidenko A. A. Amplification of localized acoustic waves by the electron drift in a quantum well. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 2. |
Khizhnyak A. Characteristics of thermal lens induced in active rod of cw Nd:YAG laser. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 3. |
Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 4. |
Klad'ko V. P. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg-diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 5. |
Zabello E. Influence of temporal parameters of laser irradiation on emission spectra of the evaporated material. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 6. |
Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 7. |
Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 8. |
Boiko I. I. Investigation of the photoelastic effect in Si at high values of the absorptivity. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 9. |
Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 10. |
Malysh N. I. Saturation of optical absorption in CdS single crystals . — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 11. |
Vakulenko O. V. Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 12. |
Kashirina N. I. Bipolarons in anisotropic crystals and low dimensional structures. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 13. |
Tomashik Z. F. Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid . — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 14. |
Bogoboyashchiy V. V. Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 15. |
Gorban A. P. Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 16. |
Dotsenko Yu. P. Electro-physical properties of gamma-exposed crystals of silicon and germanium . — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 17. |
Korsunskaya N. E. Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II - VI compounds. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 18. |
Venger Ye. F. Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 19. |
Stronski A. V. Image formation properties of As40S20Se40 thin layers in application for gratings fabrication. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 20. |
Mamikonova V. M. Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
